mifare#
MIFARE Classicおよび非接触式读卡器+ ICのメモリデータマッピングNDEFメソッドは,非接触式读卡器アプリケーションディレクトリ構造(疯狂)を使用します。
非接触式读卡器アプリケーションディレクトリは(疯狂),各メモリセクター内に格納されている情報が属するアプリケーションを識別します。
。
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- 非接触式读卡器アプリケーションディレクトリ1 (MAD1): MAD1は,非接触式读卡器クラシック準拠の製品で使用できます。MAD1は疯狂セクター(セクター00 h)にあり,MAD1が1 kバイトを超えるメモリサイズの製品で使用されている場合,MAD1は1 kバイトのメモリのみを使用してアドレス指定できます。したがって,残りのメモリはNDEFストレージには使用されず,空き状態が維持されます。
- 非接触式读卡器アプリケーションディレクトリ2 (MAD2): MAD1は,メモリサイズが1 kバイトを超える非接触式读卡器クラシック準拠製品で使用できます。中文:。MAD2, MAD, (00h 10h)
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。。
1。
- (1)
- (1)。Mad1,。
疯狂セクターの汎用バイトは(加仑桶),1 bに等しいDAビットで設定されるものとします(DAビットは加仑桶の疯狂使用可能なビットです)。
現在使用されていないすべてのセクターは,アクセス条件とキーの意図しない再定義を防ぐために,タグ発行者によって定義された秘密鍵で書き込み保護されるべきです(应该)。。これにより,すべての無料セクターを解放することなく,一部のセクターを新しいサービスプロバイダーに将来リリースできます。
汪汪汪汪,汪汪汪汪#
MAD1とMAD2が格納されているメモリセクタ(“を参照[疯狂])は,キー一とキーBを使用して保護されます。【疯狂】:
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- MAD1: MAD刷刷刷(刷刷刷)00h(刷刷刷)
- MAD2:疯狂的,疯狂的,超级的,超级的,超级的,超级的,超级的,超级的。
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★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★表1【中文翻译】:【中文翻译】:【中文翻译】:【中文翻译】
1.翻译【翻译
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0 1 バイト2 バイト3 4 5 A0h A1h A2h A3h a4 A5h
疯狂的。
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- 表2で説明されているように,疯狂セクターに読み取りおよび書き込みアクセスが許可されている場合,または
- 表3.に示すように,疯狂セクタに読み取り専用アクセス権が付与されている場合(も参照してください[MF1K, MF4K MFPLUS])。
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この文脈では,付与される読み取りおよび書き込みアクセスという用語は,以前に秘密鍵Bで認証された疯狂セクターの場合,セクタートレーラブロックを除くすべてのセクターブロックを読み書きできることを意味します(詳細については、表2)。
代わりに,読み取り専用アクセス権付与という用語は,表1の公開鍵一または秘密鍵Bで以前に認証された疯狂セクターの場合,セクター・トレーラ・ブロックを除くすべてのセクター・ブロックのみを読み取ることができることを意味します(詳細については、表 5)。
。セクタートレーラーには,読み取り/書き込みアクセスまたは読み取り専用アクセスが許可されると,特定のアクセス構成があります(表2?表3.(英文)。
疯狂セクターは,秘密鍵B(例えば,タグ発行者によって定義される)によって,またはアクセスビットを使用して非接触式读卡器クラシックおよび非接触式读卡器+タグを読み取り専用として設定することによって書き込み保護されるべきである(应该)。
表2.読み取りおよび書き込みアクセスが許可された疯狂セクターのアクセスビット設定
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MAD1またはMAD2のセクター0およびMAD2のセクター16のアクセスビット設定 アクセスビット 値 発言 C1 0C20C30 100 b我 ブロック0はキー一またはキーBで読み取られ,キーBで書き込まれます。 C1 1C21C31 100 b ブロック1はキー一またはキーBで読み取られ,キーBで書き込まれます。 C1 2C22C32 100 b ブロック2はキー一またはキーBで読み取られ,キーBで書き込まれます。 C1 3C23.C33. 011 b 【翻译】: - 。
- アクセスビットは,キー一またはキーBで読み取られ,キーBで書き込まれます。
- 。
我。刷刷刷刷0 (製造元)のアクセスビットC1 0 c20C30の推奨値。
表 3.読み取り専用アクセスが許可された疯狂セクターのアクセスビット設定
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MAD1またはMAD2のセクター0およびMAD2のセクター16のアクセスビット設定 アクセスビット 値 発言 C1 0C20C30 010 b 。 C1 1C21C31 010 b 。 C1 2C22C32 010 b 。 C1 3C23.C33. 110 b 【翻译】: - キー一は書き込みも読み取りも行われず,
- 。
- 。
我。刷刷刷刷0 (製造元)のアクセスビットC1 0 c20C30の推奨値。
TLV#
TLV。
(,Tフィールド)は电磁阀ブロックのタイプを識別し(表 91。FChおよびFFhへのタグ値01 h, h 02、04 hは将来の使用のために予約されています。
L (l。1。。図 52、。。
- 1バイト形式:1バイト形式は,00 hバイトからFEhバイトの間の値フィールドの長さをコード化します。このバイトは,値が00 hからFEhの間の場合,基数として解釈されるものとします。FFhが含まれている場合,値は,長さフィールドが複数のバイトで構成されることを指定するフラグとして解釈されるものとします。
- 3つの連続するバイト形式:この形式は,00 ffhバイトからFFFEhバイトの間の値フィールドの長さをコード化する必要があります。最初のバイトは,さらに2バイトの長さが単語として解釈されることを示すFFhに等しいフラグであると見なされます。。値FFFFhは,将来の使用(RFU)のために予約されています。
v (Vフィールド)長さフィールドが00 hに等しい場合,または長さフィールドがない場合,値フィールドは存在しない,つまり电磁阀ブロックは空です。長さフィールドがあり,ゼロより大きい値フィールドN (N > 0)の長さを示す場合,値フィールドはN個の連続したバイトで構成されます。
表 4。
表 4.就是这样电磁阀刷刷刷刷
-
TLV 【翻译 齐泽聪 * * * TLV 00時 メモリ領域のパディングに使用される可能性があり,リーダーデバイスはこれを無視するものとします TLV 03時 中文:i > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > > 刷刷刷刷刷刷刷刷刷刷刷刷刷刷 ティッカー 整整整整 TLV フェ データ域内の最後の电磁阀ブロック
リーダーデバイスは,以下のルールに従って,データ領域内に特定の順序で电磁阀ブロックを書き込むものとします。
- 电磁阀ブロックは,最小アドレスを持つNFCセクター(NDEFデータを含むセクター)のブロック0のバイト0から始まる順序で書き込まれるものとします。
- TLBブロックは2つ以上のNFCセクターにまたがって記憶することができます。
- 存在する場合,ターミネーターは男子非接触式读卡器クラシックおよび非接触式读卡器+タグの最後の电磁阀ブロックです。
空阀とターミネータは男子,1バイト長の唯一の电磁阀ブロックです(たとえば,タグフィールドのみで構成される,以下を参照)。
リーダーデバイスは,予約されたタグフィールド値を利用する电磁阀ブロックを無視してジャンプするものとします(上記を参照)。予約されたタグフィールド値を持つ电磁阀ブロックをジャンプするために,リーダーデバイスは長さフィールドを読み取って値フィールドの長さを理解する必要があります。
タグフィールドのみで構成される电磁阀ブロックの将来の定義は,このアプリケーションノートと下位互換性がありません。
TLV#
少なくとも1つのNDEFメッセージは男子,非接触式读卡器クラシックおよび非接触式读卡器プラスタグ内に常に存在するものとします。【翻译】:【翻译】:【翻译】:【翻译】リーダーデバイスは,NDEF検出手順によって検出されたNDEFメッセージ电磁阀(必須NDEFメッセージ电磁阀または最初のNDEFメッセージ电磁阀とも呼ばれます)を読み取って処理できるものとします。。NDEFメッセージの男子3つの电磁阀フィールドのエンコーディングの下に,次の値が表示されます。
T【中文】表 4(英文)。
l。
V。
空のNDEFメッセージは男子,Lフィールドが00 hでVフィールドがないNDEFメッセージ电磁阀として定義されます(つまり,[NDEF] VフィールドにNDEFメッセージが存在しません)。
空でないNDEFメッセージ电磁阀には,空または空でないNDEFメッセージを含めることができます。
刷刷刷刷刷刷刷刷刷刷刷刷刷刷#
。非接触式读卡器クラシックおよび非接触式读卡器+タグには,ゼロ,1つ以上のプロプライエタリ电磁阀が含まれるものとします。。。
T() () ()表 4(英文)。
l。
V。
* * * TLV#
ヌルは男子,データ領域の埋め込みに使用できます。非接触式读卡器クラシックおよび非接触式读卡器プラスタグには,0個1個または複数の零阈限值を含めることができます。。Null TLV, 1。Null TLV,。
T(2)表 4(英文)。
l),,,,,,,,。
V★★★★★★★
TLV#
ターミネーターは男子,非接触式读卡器クラシックおよび非接触式读卡器+タグ内に存在する可能性があり,リーダーデバイスはそれを読み取る/処理できるものとします。。。。
T★★★★★★表 4(英文)。
l),,,,,,,,。
V★★★★★★★